Dieses wichtige Referenzwerk behandelt die grundlegenden Konzepte der Photoleitfähigkeit und der photoleitenden Materialien. Mit Photoconductivity and Photoconductive Materials präsentiert Professor Kasap eine maßgebliche Zusammenstellung der wesentlichen Grundsätze der Photoleitfähigkeit und stellt eine Auswahl aktueller photoleitfähiger Materialien vor. Der erste Band des zweibändigen Werks beginnt mit einer Darstellung der grundlegenden Konzepte und Definitionen. Es folgt eine Charakterisierung der verschiedenen Techniken auf Grundlage von stationärer, transienter und modulierter Photoleitfähigkeit, u.a. der neuen Methode der Ladungsextraktion durch linear steigende Spannung (CELIV). Auch die Physik der Terahertz-Photoleitfähigkeit sowie die Grundlagen der organischen Halbleiter LSoI werden behandelt. Der zweite Band beginnt mit einem umfassenden Überblick über eine Vielzahl unterschiedlicher photoleitfähiger Materialien, wobei der Schwerpunkt auf einige der wichtigsten Photoleiter gelegt wird, darunter hydriertes amorphes Silizium, Cadmium-Quecksilber-Tellurid, verschiedene Röntgenphotoleiter, Diamantfilme, Metallhalogenidperowskite, Nanodrähte und Quantenpunkte. Auch die Anwendungen der photoleitenden Antenne werden erörtert. Das Werk, das zahlreiche Beiträge führender Autoren auf diesem Fachgebiet enthält, bietet den Leserinnen und Lesern außerdem: * Eine gründliche Einführung in die Charakterisierung von Halbleitern mit Hilfe von Techniken der Photoleitfähigkeit, insbesondere gleichmäßiger Beleuchtung und Phototräger-Gittertechniken * Eine umfassende Darstellung organischer Photoleiter mitsamt Informationen zu Photoerzeugung, Transport und Anwendungen im Druckbereich * Praktische Erörterungen der transienten Lichtleitfähigkeit im Flugzeitverfahren inklusive Experimentiertechniken und Interpretationshinweisen * Eine eingehende Betrachtung der transienten Photoleitfähigkeit organischer Halbleiterschichten und neuartiger Techniken der transienten Photoleitfähigkeit Photoconductivity and Photoconductive Materials ist nicht nur ein wichtiges Referenzwerk für Physiker in der Forschung, Materialwissenschaftler und Elektroingenieure, sondern auch ein unverzichtbares Nachschlagewerk für Doktoranden und Studierende höherer Semester, die sich mit dem Bereich der optoelektronischen Materialien beschäftigen, sowie für Forschende in der Industrie. * Ein umfassendes zweibändiges Werk mit Beiträgen führender Fachautoren, herausgegeben von einem angesehenen Forscher auf dem Gebiet der Photoleitfähigkeit

Optical Properties of Solids covers the important concepts of intrinsic optical properties and photoelectric emission. The book starts by providing an introduction to the fundamental optical spectra of solids. The text then discusses Maxwell's equations and the dielectric function; absorption and dispersion; and the theory of free-electron metals. The quantum mechanical theory of direct and indirect transitions between bands; the applications of dispersion relations; and the derivation of an expression for the dielectric function in the self-consistent field approximation are also encompassed. The book further tackles current-current correlations; the fluctuation-dissipation theorem; and the effect of surface plasmons on optical properties and photoemission. People involved in the study of the optical properties of solids will find the book invaluable.

Volume 1 of Point Defects in Solids has as its major emphasis defects in ionic solids. Volume 2 now extends this emphasis to semiconductors. The first four chapters treat in some detail the creation, kinetic behavior, inter actions, and physical properties of both simple and composite defects in a variety of semiconducting systems. Also included, as in Vol. 1, are chapters on special topics, namely phonon-defect interactions and defects in organic crystals. Defect behavior in semiconductors has been a subject of considerable interest since the discovery some twenty-five years ago that fast neutron irradiation profoundly affected the electrical characteristics of germanium and silicon. Present-day interest has been stimulated by such semiconductor applications as solar cell power plants for space stations and satellites and semiconductor particle and y-ray detectors, since in both radiation damage can cause serious deterioration. Of even greater practical concern is the need to understand particle damage in order to capitalize upon the develop ing technique of ion implantation as a means of device fabrication. Although the periodic international conferences on radiation effects in semiconductors have served the valuable function of summarizing the extensive work being done in this field, these proceedings are much too detailed and lack the background discussion needed to make them useful to the novice.

Twenty-four years ago, Hellmut Fritzsche came to our laboratory to evaluate our work in amorphous materials. He came many times, sometimes bringing his violin to play with our youngest son, to talk, to help, to discover, and to teach. The times with him were always exciting and rewarding. There was a camaraderie in the early years that has continued and a friendship that has deepened among Iris and me and Hellmut, Sybille and their children. The vision that Hellmut Fritzsche shared with me, the many important contributions he made, the science that he helped so firmly to establish, the courage he showed in the time of our adversity, and the potential that he recognized put all of us in the amorphous field, not only his close friends and collaborators, in his debt. He helped make a science out of intuition, and played an important role not only in the experimental field but also in the basic theoretical aspects. It has been an honor to work with Hellmut through the years.

Electronic Properties of Crystalline Solids: An Introduction to Fundamentals discusses courses in the electronic properties of solids taught in the Department of Materials Science and Engineering at Stanford University. The book starts with a brief review of classical wave mechanics, discussing concept of waves and their role in the interactions of electrons, phonons, and photons. The book covers the free electron model for metals, and the origin, derivation, and properties of allowed and forbidden energy bands for electrons in crystalline materials. It also examines transport phenomena and optical effects in crystalline materials, including electrical conductivity, scattering phenomena, thermal conductivity, Hall and thermoelectric effects, magnetoresistance, optical absorption, photoconductivity, and other photoelectronic effects in both ideal and real materials. This book is intended for upper-level undergraduates in a science major, or for first- or second-year graduate students with an interest in the scientific basis for our understanding of properties of materials.